| 型号： | IRF5801TRPBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRF5801TRPBF PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 2.2 欧姆 @ 360mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 88pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.059"，1.50mm 宽） |
| 供应商设备封装 | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | IRF5801TRPBFDKR |